又名石英谐振器，简称晶振，是利用具有压电效应的石英晶体片制成的，今天咱们来了解一下它
一、石英晶体振荡器的基本原理 1、石英晶体振荡器的结构 石英晶体振荡器是利用石英晶体（二氧化硅的结晶体）的压电效应制成的 一种谐振器件，它的基本构成大致是：从一块石英晶体上按一定方位角切下 薄片（简称为晶片，它可以是正方形、矩形或圆形等） ，在它的两个对应面上 涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚 上，再加上封装外 壳就构成了石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振。
其产品一般用 金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。
2、压电效应 若在石英晶体的两个电极上加一电场，晶片就会产生机械变形。
反之，若 在晶片的两侧施加机械压力，则在晶片相应的方向产生电场，这种物理 现象称为压电效应。
如果在晶片的两极上加交变电压，晶片就会产生机械振 动，同时晶片的机械振动又会产生交变电场。
在一般情况下，晶片机械振动 的振幅和交变电场的振幅非常微小，但当外加交变电压的频率为某一特定值 时，振幅明显加大，比其他频率下的振幅大得多，这种现象称为压电谐振， 它与 LC 回路的谐振现象十分相似。
它的谐振频率与晶片的切割方式、几何 形状、尺寸等有关。
3、符号和等效电路 当晶体不振动时， 可把它看成一个平板电容器称为静电电容 C， 它的大小 与晶片的几何尺寸、电极面积有关，一般约几个 PF 到几十 PF。
当晶体振荡 时， 机械振动的惯性可用电感 L 来等效。
一般 L 的值为几十 mH 到几百 mH。
晶片的弹性可用电容 C 来等效，C 的值很小，一般只有 0.0002——0.1pF。
晶
片振动时因摩擦而造成的损耗用 R 来等效，它的数值约为 100 。
由于晶片 的等效电感很大，而 C 很小，R 也小，因此回路的品质因数 Q 很大，可达 1000——10000。
加上晶片本身的谐振频率基本上只与晶片的切割方式、几何 形状、尺寸有关，而且可以做得精确，因此利用石英谐振器组成的振荡电路 可获得很高的频率稳定度。
4、谐振频率 从石英晶体谐振器的等效电路可知，它有两个谐振频率，即（1）当 L、 C、R 支路发生串联谐振时，它的等效阻抗最小（等于 R） 。
串联揩振频率用 fs 表示，石英晶体对于串联揩振频率 fs 呈纯阻性， （2）当频率高于 fs 时 L、 C、R 支路呈感性，可与电容 C。
发生并联谐振，其并联频率用 fd 表示。
根据石英晶体的等效电路， 可定性画出它的电抗—频率特性曲线。
可见当 频率低于串联谐振频率 fs 或者频率高于并联揩振频率 fd 时， 石英晶体呈容性。
仅在 fs＜f＜fd 极窄的范围内，石英晶体呈感性。
二、石英晶体振荡器类型特点 石英晶体振荡器是由品质因素极高的石英晶体振子 （即谐振器和振荡电路 组成。
晶体的品质、切割取向、晶体振子的结构及电路形式等，共同决定振 荡器的性能。
国际电工会（IEC）将石英晶体振荡器分为 4 类：普通晶体 振荡（SPXO） ，电压控制式晶体振荡器（VCXO） ，温度补偿式晶体振荡 （TCXO） ，恒温控制式晶体振荡（OCXO） 。
目前发展中的还有数字补偿式晶 体损振荡（DCXO）等。
普通晶体振荡器（SPXO）可产生 10^(-5)——10^(-4)量级的频率精度，标 准频率 1—100MHZ，频率稳定度是±100ppm。
SPXO 没有采用任何温度频
率补偿措施，价格低廉，通常用作微处理器的时钟器件。
封装尺寸范围从 21×14×6mm 及 5×3.2×1.5mm。
电压控制式晶体振荡器（VCXO）的精度是 10^(-6)——10^(-5)量级，频率 范围 1——30MHz。
低容差振荡器的频率稳定度是±50ppm。
通常用于锁相环路。
封装尺寸 14×10×3mm。
温度补偿式晶体振荡器（TCXO）采用温度敏感器件进行温度频率补偿， 频率精度达到 10^(-7)——10^(-6)量级，频率范围 1—60MHz，频率稳定度为 ±1——±2.5ppm，封装尺寸从 30×30×15mm 至 11.4×9.6×3.9mm。
通常用于手 持电话、蜂窝电话、双向无线通信设备等。
恒温控制式晶体振荡器（OCXO）将晶体和振荡电路置于恒温箱中，以消 除环境温度变化对频率的影响。
OCXO 频率精度是 10^(-10)至 10^(-8)量级， 对某些特殊应用甚至达到更高。
频率稳定度在四种类型振荡器中最高。
三、石英晶体振荡器的主要参数 晶振的主要参数有标称频率，负载电容、频率精度、频率稳定度等。
不同 的晶振标称频率不同，标称频率大都标明在晶振外壳上。
如常用普通晶振标 称频率有：48kHz、500 kHz、503.5 kHz、1MHz——40.50 MHz 等，对于特殊 要求的晶振频率可达到 1000 MHz 以上， 也有的没有标称频率， CRB、 如 ZTB、 Ja 等系列。
负载电容是指晶振的两条引线连接 IC 块内部及外部所有有效电 容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。
负载频率不同决定振荡器的振荡 频率不同。
标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。
因为石英晶体振荡 器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联 揩振晶振的高负载电容晶振。
所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求
负载电容一至，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。
频率精度和频 率稳定度：由于普通晶振的性能基本都能达到一般电器的要求，对于高档设 备还需要有一定的 频率精度和频率稳 定度。
频率精度从 10^(-4)量级到 10^(-10)量级不等。
稳定度从±1 到±100ppm 不等。
这要根据具体的设备需要 而选择合适的晶振，如通信网络，无线数据传输等系统就需要更高要求的石 英晶体振荡器。
因此，晶振的参数决定了晶振的品质和性能。
在实际应用中 要根据具体要求选择适当的晶振，因不同性能的晶振其价格不同，要求越高 价格也越贵，一般选择只要满足要求即可。
四、石英晶体振荡器的发展趋势 1、小型化、薄片化和片式化：为满足移动电话为代表的便携式产品轻、 薄、短小的要求，石英晶体振荡器的封装由传统的裸金属外壳覆塑料金属向 陶瓷封装转变。
例如 TCXO 这类器件的体积缩小了 30——100 倍。
采用 SMD 封装的 TCXO 厚度不足 2mm，目前 5×3mm 尺寸的器件已经上市。
2、高精度与高稳定度，目前无补偿式晶体振荡器总精度也能达到 ±25ppm，VCXO 的频率稳定度在 10——7℃范围内一般可达±20——100ppm， 而 OCXO 在同一温度范围内频率稳定度一般为±0.0001——5ppm， VCXO 控制 在±25ppm 以下。
3、低噪声，高频化，在 GPS 通信系统中是不允许频率颤抖的，相位噪 声是表征振荡器频率颤抖的一个重要参数。
目前 OCXO 主流产品的相位噪声 性能有很大改善。
除 VCXO 外，其它类型的晶体振荡器最高输出频率不超过 200MHz。
例如用于 GSM 等移动电话的 UCV4 系列压控振荡器，其频率为 650——1700 MHz，电源电压 2.2——3.3V，工作电流 8——10mA。
4、低功能，快速启动，低电压工作，低电平驱动和低电流消耗已成为一 个趋势。
电源电压一般为 3.3V。
目前许多 TCXO 和 VCXO 产品，电流损耗 不超过 2 mA。
石英晶体振荡器的快速启动技术也取得突破性进展。
例如日本 精工生产的 VG—2320SC 型 VCXO，在±0.1ppm 规定值范围条件下，频率 稳定时间小于 4ms。
日本东京陶瓷公司生产的 SMD TCXO， 在振荡启动 4ms 后则可达到额定值的 90%。
OAK 公司的 10——25 MHz 的 OCXO 产品，在预 热 5 分钟后，则能达到±0.01 ppm 的稳定度。
五、石英晶体振荡器的应用 1、石英钟走时准、耗电省、经久耐用为其最大优点。
不论是老式石英钟 或是新式多功能石英钟都是以石英晶体振荡器为核心电路，其频率精度决定 了电子钟表的走时精度。
从石英晶体振荡器原理的示意图中，其中 V1 和 V2 构成 CMOS 反相器石英晶体 Q 与振荡电容 C1 及微调电容 C2 构成振荡系统， 这里石英晶体相当于电感。
振荡系统的元件参数确定了振频率。
一般 Q、C1 及 C2 均为外接元件。
另外 R1 为反馈电阻，R2 为振荡的稳定电阻，它们都 集成在电路内部。
故无法通过改变 C1 或 C2 的数值来调整走时精度。
但此时 我们仍可用加接一只电容 C 有方法， 来改变振荡系统参数， 以调整走时精度。
根据电子钟表走时的快慢，调整电容有两种接法：若走时偏快，则可在石英 晶体两端并接电容 C，如图 4 所示。
此时系统总电容加大，振荡频率变低， 走时减慢。
若走时偏慢，则可在晶体支路中串接电容 C。
如图 5 所示。
此时 系统的总电容减小，振荡频率变高，走时增快。
只要经过耐心的反复试验， 就可以调整走时精度。
因此，晶振可用于时钟信号发生器。
2、随着电视技术的发展，近来彩电多采用 500kHz 或 503 kHz 的晶体振
荡器作为行、场电路的振荡源，经 1/3 的分频得到 15625Hz 的行频，其稳定 性和可靠性大为提高。
面且晶振价格便宜，更换容易。
3、在通信系统产品中，石英晶体振荡器的价值得到了更广泛的体现，同 时也得到了更快的发展。
许多高性能的石英晶振主要应用于通信网络、无线 数据传输、高速数字数据传输等。
咨询电话:
